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艾德克斯 IT2800高精密源測(cè)量單元在磁電阻中的測(cè)試應(yīng)用

更新時(shí)間:2022-10-14點(diǎn)擊次數(shù):1549

電磁學(xué)中還有許多知識(shí)點(diǎn),當(dāng)電流垂直于外磁場(chǎng)通過(guò)導(dǎo)體時(shí),在導(dǎo)體垂直于磁場(chǎng)和電流方向的兩個(gè)端面之間會(huì)出現(xiàn)電勢(shì)差,這一現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)。在通有電流的金屬或半導(dǎo)體上施加磁場(chǎng)時(shí),其電阻值將發(fā)生明顯變化,這種現(xiàn)象稱為磁致電阻效應(yīng)。近百年來(lái),電磁學(xué)的研究迅速發(fā)展,其應(yīng)用深入了科技及生活的方方面面。例如磁性材料的電阻率在有外磁場(chǎng)作用時(shí)較之無(wú)外磁場(chǎng)作用時(shí)存在巨大變化的材料稱為巨磁電阻,巨

磁電阻的發(fā)展,帶來(lái)了計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的革命性變化。時(shí)至今日,在研究領(lǐng)域我們已無(wú)法只眼睛去觀察,用機(jī)械式儀器去測(cè)量,先進(jìn)的材料及器件的研發(fā)需要*高性能的測(cè)試設(shè)備去完成測(cè)試。

ITECH 某材料領(lǐng)域用戶需要進(jìn)行薄膜磁電阻的電阻率測(cè)試,在這個(gè)測(cè)試中首先需構(gòu)建變化的磁場(chǎng),再向待測(cè)磁電阻輸入高精密恒流源,利用四探針?lè)y(cè)試薄膜磁電阻的磁阻及磁電特性。恒流源需以1mA恒流輸出,分辨率1nA。還需要有脈沖掃描功能,高電平從100mA掃描到-100mA,低電平為0.1mA。這要求恒流源電源需要有高分辨率高精度以保證測(cè)試的精準(zhǔn)及穩(wěn)定、正電流到負(fù)電流的連續(xù)穩(wěn)定掃描功能。用戶

選擇IT2800高精密源測(cè)量單元完成這個(gè)試驗(yàn),測(cè)試原理如下圖。

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ITECH新品IT2800高精密源測(cè)量單元具有1/2U的緊湊體積及5寸觸摸顯示屏的圖形化顯示功能,它集6種設(shè)備功能于一體,綜合了四象限電壓源,電流源,6位半數(shù)字萬(wàn)用表、脈沖發(fā)生器、電池模擬器以及電子負(fù)載功能。電流量程具有9檔分檔,適應(yīng)各種微小電流測(cè)試需求。在用戶所需的1mA檔位下分辨率為1nA,精度為0.02%+60nA,超高的精度保障材料測(cè)試的精準(zhǔn)。

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IT2800內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)SWEEP模式,支持線性和對(duì)數(shù)、單次和雙次up and down掃描功能以及恒定和脈沖掃描功能。列表LIST掃描功能可以有效地執(zhí)行任意波形輸出,在表征響應(yīng)隨應(yīng)用電壓或電流而變化的測(cè)試中非常有用,用戶可以使用excel導(dǎo)入或面板編輯的方式,生成一個(gè)任意形狀的掃描曲線,最多可以導(dǎo)入99999點(diǎn)數(shù)據(jù),是UI特性曲線測(cè)試的理想選擇。在測(cè)試中正負(fù)電壓及正負(fù)電流測(cè)試都可使用SWEEP完成全部掃描,無(wú)需改變接線。Scope界面可以觀察輸出實(shí)際曲線。

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IT2800全系列覆蓋了10fA到10A的電流范圍以及100nV到1000V的電壓范圍。除了直流工作模式之外,IT2800 系列SMU還能夠進(jìn)行脈沖測(cè)量, IT2806 具有10A大電流脈沖功能。圖形用戶界面以及各種顯示模式幫助工程師顯著提高測(cè)試效率。可廣泛應(yīng)用于分立半導(dǎo)體器件、功率芯片、無(wú)源器件、光電器件、微功耗量測(cè)以及材料研究等領(lǐng)域。

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